绿色制造与循环经济
公司采用水性光刻胶技术,溶剂挥发量较传统产品降低60%,符合欧盟REACH法规和国内环保标准。同时,其光刻胶废液回收项目已投产,通过膜分离+精馏技术实现90%溶剂循环利用,年减排VOCs(挥发性有机物)超100吨。
低碳供应链管理
吉田半导体与上游供应商合作开发生物基树脂,部分产品采用可再生原料(如植物基丙烯酸酯),碳排放强度较传统工艺降低30%。这一举措使其在光伏电池和新能源汽车领域获得客户青睐,相关订单占比从2022年的15%提升至2023年的25%。
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LCD显示
• 彩色滤光片(CF):
◦ 黑色矩阵(BM)光刻胶:隔离像素,线宽精度±2μm,透光率<0.1%。
◦ RGB色阻光刻胶:形成红/绿/蓝像素,需高色纯度(NTSC≥95%)和耐光性。
• 阵列基板(Array):
◦ 栅极绝缘层光刻胶:用于TFT-LCD的栅极图案化,分辨率≤3μm。
OLED显示(柔性/刚性)
• 像素定义层(PDL)光刻胶:在基板上形成有机发光材料的 confinement 结构,线宽精度±1μm,需耐溶剂侵蚀(适应蒸镀工艺)。
• 触控电极(如ITO/PET):通过光刻胶图形化实现透明导电线路,线宽≤5μm。
Mini/Micro LED
• 巨量转移前的芯片制备:使用高分辨率光刻胶(分辨率≤5μm)定义微米级LED阵列,良率要求>99.99%。
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技术突破与产业重构的临界点
光刻胶技术的加速突破正在推动芯片制造行业进入“材料定义制程”的新阶段。中国在政策支持和资本推动下,已在KrF/ArF领域实现局部突破,但EUV等领域仍需5-10年才能实现替代。未来3-5年,EUV光刻胶研发、原材料国产化及客户认证进度将成为影响产业格局的主要变量。国际竞争将从单纯的技术比拼转向“专利布局+供应链韧性+生态协同”的综合较量,而中国能否在这场变革中占据先机,取决于对“卡脖子”环节的持续攻关和产业链的深度整合。
产品优势:多元化布局与专业化延伸
全品类覆盖
吉田产品涵盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD光刻胶、半导体锡膏等,形成“光刻胶+配套材料”的完整产品线。例如:
◦ 芯片光刻胶:覆盖i线、g线光刻胶,适用于6英寸、8英寸晶圆制造。
◦ 纳米压印光刻胶:用于MEMS、光学器件等领域,替代传统光刻工艺。
专业化延伸
公司布局半导体用KrF光刻胶,计划2025年启动研发,目标进入中芯国际、长江存储等晶圆厂供应链。
质量与生产优势:严格品控与自动化生产
ISO认证与全流程管控
公司通过ISO9001:2008质量体系认证,生产环境执行8S管理,原材料采用美、德、日进口高质量材料,确保产品批次稳定性。
质量指标:光刻胶金属离子含量低于0.1ppb,良率超99%。
自动化生产能力
拥有行业前列的全自动化生产线,年产能达2000吨(光刻胶及配套材料),支持大规模订单交付。
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感光机制
◦ 重氮型(双液型):需混合光敏剂(如二叠氮二苯乙烯二磺酸钠),曝光后通过交联反应固化,适用于精细图案(如PCB电路线宽≤0.15mm)。
◦ SBQ型(单液型):预混光敏剂,无需调配,感光度高(曝光时间缩短30%),适合快速制版(如服装印花)。
◦ 环保型:采用无铬配方(如CN10243143A),通过多元固化体系(热固化+光固化)实现12-15mJ/cm²快速曝光,分辨率达2μm,符合欧盟REACH标准。
功能细分
◦ 耐溶剂型:如日本村上AD20,耐酒精、甲苯等溶剂,适用于电子油墨印刷。
◦ 耐水型:如瑞士科特1711,抗水性强,适合纺织品水性浆料。
◦ 厚版型:如德国Köppen厚版胶,单次涂布可达50μm,用于立体印刷。
典型应用场景:
• PCB制造:使用360目尼龙网+重氮感光胶,配合LED曝光(405nm波长),实现0.15mm线宽,耐酸性蚀刻液。
• 纺织印花:圆网制版采用9806A型感光胶,涂布厚度20μm,耐碱性染料色浆,耐印率超10万次。
• 包装印刷:柔版制版选用杜邦赛丽® Lightning LFH版材,UV-LED曝光+无溶剂工艺,碳排放降低40%。
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广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别,以满足不同领域的需求。
UV 纳米压印光刻胶:JT-2000 型号,耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高,重量 100g。适用于需要在特殊化学和高温环境下进行纳米压印光刻的工艺,如半导体器件制造。
其他光刻胶
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水油光刻胶 JT-2001:属于水油两用光刻胶,具有工厂研发、可定制、使用、品质保障、性能稳定的特点,重量 1L。
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水油光刻胶 SR-3308:同样为水油两用光刻胶,重量 5L,具备上述通用优势,应用场景。
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