[VIP第1年] 指数:3
技术优势：23年研发沉淀与细分领域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻胶研发中实现了从树脂合成、光引发剂制备到配方优化的全流程自主化。例如，其纳米压印光刻胶通过自主开发的树脂体系，实现了3μm的分辨率，适用于MEMS传感器、光学器件等领域。
技术壁垒：公司拥有23年光刻胶研发经验，掌握光刻胶主要原材料（如树脂、光酸）的合成技术，部分原材料纯度达PPT级。
细分领域技术先进
◦ 纳米压印光刻胶：在纳米级图案化领域（如量子点显示、生物芯片）实现技术突破，分辨率达3μm，填补国内空缺。
◦ LCD光刻胶：针对显示面板行业需求，开发出高感光度、高对比度的光刻胶，适配AMOLED、Micro LED等新型显示技术。
研发投入与合作
公司2018年获高新技术性企业认证，与新材料领域同伴们合作开发半导体光刻胶，计划2025年启动半导体用KrF光刻胶研发。
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纳米制造与表面工程
• 纳米结构模板：作为纳米压印光刻（NIL）的母版制备材料，通过电子束光刻胶写出高精度纳米图案（如50nm以下的柱阵列、孔阵列），用于批量复制微流控芯片或柔性显示基板。
• 表面功能化：在基底表面构建纳米级粗糙度（如仿生荷叶超疏水表面）或化学图案（引导细胞定向生长的纳米沟槽），用于生物医学或能源材料（如电池电极的纳米阵列结构）。
量子技术与精密测量
• 超导量子比特：在铌酸锂或硅基底上，通过光刻胶定义纳米级约瑟夫森结阵列，构建量子电路。
• 纳米传感器：制备纳米级悬臂梁（表面镀光刻胶图案化的金属电极），用于探测单个分子的质量或电荷变化（分辨率达亚纳米级）。
惠州阻焊光刻胶品牌吉田半导体全流程解决方案，赋能客户提升生产效率。
聚焦先进封装需求，吉田半导体提供从光刻胶到配套材料的一站式服务，助力高性能芯片制造。
在 5G 芯片与 AI 处理器封装领域，吉田半导体研发的 SU-3 负性光刻胶支持 3μm 厚膜加工，抗深蚀刻速率 > 500nm/min，为高密度金属互连提供可靠支撑。其 BGA 助焊膏采用低温固化技术（180℃），焊接空洞率 < 5%；针筒锡膏适用于 01005 超微型元件，印刷精度达 ±5μm。通过标准化实验室与快速响应团队，公司为客户提供工艺优化建议，帮助降低生产成本，增强市场竞争力。
广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品，主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别，以满足不同领域的需求。
厚板光刻胶：JT-3001 型号，具有优异的分辨率和感光度，抗深蚀刻性能良好，符合欧盟 ROHS 标准，保质期 1 年。适用于对精度和抗蚀刻要求高的厚板光刻工艺，如特定电路板制造。
负性光刻胶
- SU-3 负性光刻胶：分辨率优异，对比度良好，曝光灵敏度高，光源适应，重量 100g。常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。
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- LCD 正性光刻胶 YK-200：具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力，重量 100g。适用于液晶显示领域的光刻工艺，确保 LCD 生产中图形精确转移和良好涂布效果。
- 半导体正性光刻胶 YK-300：具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性，重量 100g。主要用于半导体制造工艺，满足半导体器件对光刻胶在化学稳定性和电气性能方面的要求。
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上游原材料：
◦ 树脂：彤程新材、鼎龙股份实现KrF/ArF光刻胶树脂自主合成，金属杂质含量<5ppb（国际标准<10ppb）。
◦ 光引发剂：久日新材攻克EUV光刻胶原料光致产酸剂，累计形成吨级订单；威迈芯材合肥基地建成100吨/年ArF/KrF光刻胶主材料产线。
◦ 溶剂：怡达股份电子级PM溶剂全球市占率超40%，与南大光电合作开发配套溶剂，技术指标达SEMI G5标准。
设备与验证：
◦ 上海新阳与上海微电子联合开发光刻机适配参数，验证周期较国际厂商缩短6个月；徐州博康实现“单体-树脂-成品胶”全链条国产化，适配ASML Twinscan NXT系列光刻机。
◦ 国内企业通过18-24个月的晶圆厂验证周期（如中芯国际、长江存储），一旦导入不易被替代。
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